pmos驱动电压（power mosfet的驱动电压）
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MOS开关电路
MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。也可以用IRF540N，1A条件下一点问题都没有，当时做精密恒流源，可以控制到精度1mA。
MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。PWM MOS管驱动实际是将PWM信号经过MOS进行功率放大，将PWM信号变成具备一定功率输出或有一定电流灌入能力的PWM波形。
mos管的开关电路原理MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）管的开关电路原理是通过控制门电压来控制通过MOSFET管的电流。当门电压高于源电压时，MOSFET管导通，当门电压低于源电压时，MOSFET管不导通。在开关电路中，MOSFET管可用来替代传统的电源开关，实现较高的效率和更小的损耗。
常见的PWM MOSFET驱动电路包括PWM MOSFET底部驱动、半桥输出、H桥输出和三相全桥输出。常见的PWM驱动MOSFET开关电路包括： 单个MOSFET的常规驱动方式，例如增强型NMOSFET，通常只需在其栅极上串联一个电阻进行限流。
MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
开关电源的m0s管用多少电压驱动
1、开关特性是场效应管的核心功能之一。在设计中，MOS管的使用尤为普遍。NMOS管在栅极电压Vgs大于某一特定值时就会导通，此时，源极接地的情况最为常见，即所谓的低端驱动。通常，栅极电压只需达到4V或10V，NMOS管就能实现导通。另一方面，PMOS管则在源极接VCC时表现出导通特性，此时，其开关特性同样显著。
2、保护G极的稳压管一般是15——18V，如果确定驱动电压不会超过MOS管G极的极限电压，不用稳压管保护也是可以的。
3、开关电源，电动马达、照明调光等驱动电路中。在这里应用中，使用的是低压MOS管。低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。
4、这个没有定数，RG一般在10-100欧之间，RT在7K---10K之间，和输出功率以及MOS有关。因为每种型号的MOS的结电容都不一样，虽然MOS是电压驱动元件，但是还是需要电流的，所以高结电容容量的MOS需要的驱动电流也大，反过来就小电流一些。
pmos导通条件
相反，PMOS（P沟道MOSFET）的电流方向是从漏极到源极（D-S），当Vgs小于或等于Vth（通常在-0.2V到-0.7V之间，取决于尺寸和工艺）时导通，此时Vgd为负值或零。空穴对作为载流子，与NMOS的电子方向相反。
pmos导通条件是指pmos串联晶体管门电压Vgs、源极供电电压Vdd和漏极电压Vdd之间的关系。pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名，positiveMOS。
导通条件上，NMOS在栅极与源极之间的电压高于某一阈值电压时导通，此时漏极与源极之间形成导电通道，电流可以从漏极流向源极。相反，PMOS在栅极与源极之间的电压低于某一阈值电压时导通，电流方向从源极流向漏极。这种导通条件的差异使得NMOS更适用于源极接地的场合，而PMOS则适用于源极接电源的场合。
首先，从极性上来看，NMOS是一种N型场效应管，即N型沟道、P型衬底；而PMOS则是一种P型场效应管，即P型沟道、N型衬底。这两种不同类型的MOS管因其极性差异，在电路中的应用也各不相同。
MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?
阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
MOS的阈值电压，即是所谓的开启电压，不同型号的阈值会有不同的值；而通常情况下还与其耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。原理不同。
NMOS、PMOS高侧低侧电源开关
高侧驱动的NMOS开关一般需要搭配栅极驱动芯片，其中集成电荷泵的芯片性能稳定，但成本略高；电容浮栅自举方式在PWM信号占空比有限制，性能稳定，成本较低。PMOS作为高侧电源开关时，电路简单，成本低，适用于对开通速度、导通内阻、过电流能力要求不高的场合。
下图是两种PMOS管经典开关电路应用：其中第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接后面电路的接地端；第二种为PMOS管典型开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。
选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构 成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开 关。
